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三星3nm工艺或无法如期量产:新技术翻车

发布日期:2022-04-21 19:51    点击次数:112

芯研所4月18日消息,据Digitimes,三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期,这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产。所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管,它取代的是FinFET(鳍式场效应晶体管),前者可以实现四边充当电流通道,二者则只有三边。

三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电,没想到后者坚持在3nm使用FinFET后,结果更务实。

今年早些时候曾有报道称,半导体设备巨头Lam Research(泛林)向三星提供了用于3nm GAA芯片蚀刻相关的机器,三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证。



 




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